深圳市龙晶微半导体有限公司

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供应1N60场效应管TO-252封装

封装外形:CHIP/小型片状 型号/规格:1N60 材料:GE-N-FET锗N沟道 用途:MOS-FBM/全桥组件 品牌/商标:ALJ龙晶微 沟道类型:N沟道 种类:*缘栅(MOSFET) 导电方式:耗尽型

供应深圳龙晶微场效应管SI2305

封装外形:CHIP/小型片状 型号/规格:SI2305 材料:GE-N-FET锗N沟道 用途:MOS-FBM/全桥组件 品牌/商标:ALJ龙晶微 沟道类型:N沟道 种类:*缘栅(MOSFET) 导电方式:耗尽型